Décidément, Samsung n’en finit plus avec ses annonces ! Après l’augmentation de la production de puces d’HBM2, puis plus récemment l’augmentation de la production de DRAM, la firme coréenne communique aujourd’hui sur la production de puces en 10 nm LPP. Cette technologie de gravure basée (toujours) sur des transistors FinFET est la seconde génération de cette finesse : le Lower Power Plus (LPP) fait ainsi suite au Lower Power Early (LPE).
Sams’ert à quoi ? Sams’ert à graver des CPU !
Cette annonce est en fait basée sur la toute dernière ligne de production située Hwaseong (Corée), désormais complètement opérationnelle. A noter qu’elle serait aussi prévue pour des gravure plus fine encore, notamment le 7nm EUV (Ultraviolets Extrêmes, dont nous vous parlions ici), ce qui est loin d’être anodin. Il faut dire que sur le papier, cette seconde génération est déjà alléchante : elle apporterait 10% de performances supplémentaires ou une consommation réduite de 15%, de quoi apporter un surplus d’autonomie toujours bienvenue à nos chers bidules.
Les SoC utilisant ces technologies seraient disponibles dès le début de l’année prochaine, mais il faudra attendre courant 2018 pour voir avoir une disponibilité moins tendue. On attend probablement le Snapdragon 845 (et donc le gaga-laxy S9) à ce niveau, mais d’autres applications ne seraient pas exclues. Affaire à suivre !
