Samsung a commencé la production de DDR4. Les modules produits sont de 512Mo, la barrette présentée est une barrette de 32Go ECC Registered. La vitesse de ces modules est de 2667 MHz, ce qui reste plus élevé que les 2133 MHz officiellement reconnus par le JEDEC pour la DDR3, bien que l’on trouve de la DDR3 3000. La consommation est de 30% plus faible, et pour y parvenir, la firme a utilisé des puces de classe 20nm, c’est à dire ayant une gravure comprise entre 20 et 29nm.
Il est amusant de noter qu’en Juillet 2012, Samsung avait déclaré avoir fabriqué des samples de 8 et 16Go gravés en 30nm et à la vitesse de 2133 MHz, et finalement plus d’un an plus tard, la vitesse a monté d’un bon cran, tandis que la gravure a diminué. Le vrai rendez-vous public avec la DDR4 est prévu avec Haswell-E à la fin de l’année 2014 en remplacement d’ivy Bridge-E qui n’est pas encore arrivé. Les premiers modules seront donc réservés aux datacenters ! (Source TheInq)
